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CMOSイメージセンサ（シーモス-）はCMOS（相補性金属酸化膜半導体）を用いた固体撮像素子。
CCDイメージセンサと同様に、フォトダイオード(PD)を使用するが、製造プロセスと信号の読み出し方法が異なる。
CMOSイメージセンサの原理が考案されたのは1960年代後半と古いが、実用化されたのは半導体微細加工技術が高度化した1990年代以降である+
単位セルごとに増幅器を持つことで、光変換された電気信号の読み出しによる電気ノイズの発生が抑えられるという特徴を持つ。
CMOSロジックLSI製造プロセスの応用で大量生産が可能なため、高電圧アナログ回路を持つCCDイメージセンサと比較して安価であり、素子が小さいことから、消費電力も少ないというメリットを持つ。
『CMOSイメージセンサ』より : CMOSイメージセンサ（シーモス-）はCMOS（相補性金属酸化膜半導体）を用いた固体撮像素子。
CCDイメージセンサと同様に、フォトダイオード(PD)を使用するが、製造プロセスと信号の読み出し方法が異なる。
CMOSイメージセンサの原理が考案されたのは1960年代後半と古いが、実用化されたのは半導体微細加工技術が高度化した1990年代以降である+
単位セルごとに増幅器を持つことで、光変換された電気信号の読み出しによる電気ノイズの発生が抑えられるという特徴を持つ。
CMOSロジックLSI製造プロセスの応用で大量生産が可能なため、高電圧アナログ回路を持つCCDイメージセンサと比較して安価であり、素子が小さいことから、消費電力も少ないというメリットを持つ。
画像部のダイオードに接続されている読み出し用スイッチのゲート電圧に、正昇圧した電圧と負昇圧（マイナス）した電圧を使っているのは何故ですか?
原理的にわかりましたら教えてください｡
CMOSイメージセンサを計測実験に使用していますが、温度によって感度特性（一定の光入力に対する、画像出力の大きさ）が変わってしまい（あがったり、さがったり）、CMOSセンサを使った測定実験の結果が安定せず困っています｡
イメージセンサの温度は0度～50度くらいの間で変化しており、それらは室温やセンサを内臓するカメラの動作時間で変化があることを確認しました｡
感度が変わる原因についてご存知でしたら基本的な原理から（FETトランジスタの温度依存性とか・・）アドバイスをいただけると助かります｡
よろしくお願いいたします｡
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